改善DBC於功率發光二極體應用

現時DBC可達到的pitch數值只限於200-250μm。由於有些發光二極體晶片製造商依頼倒裝晶片技術，用於DBC的晶片直焊基板封裝仍需作進一步發展。首次以變更結構化技術的目標是使DBC絕緣間隙在100μm. 的範圍。

　　研發需進一進行於晶片焊接的精確幾何對準。

圖19 銅表面的裝版標記

　結語

　　DBC基板於功率發光二極體領域的未來設計提供一個引人注意的方案。由於現時的封裝型功率發光二極體具高熱阻，所以基板的改進不能帶出重大的益處。 但是，未來發光二極體的封裝與多晶片直焊基板方法可受益於DCB基板的性能。