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2010年11月1日 星期一

LED概論

    LED是發光二極體( Light Emitting Diode, LED)的簡稱,也被稱作發光二極體,這種半導體元件一般是作為指示燈、顯示板,它不但能夠高效率地直接將電能轉化為光能,而且擁有最長達數萬小時~10 萬小時的使用壽命,同時具備不若傳統燈泡易碎,並能省電等優點。
但是,無論何種LED都需要針對不同類型設計合理的封裝形式,因為只有封裝好的才能成為終端產品,才能投入實際應用。

1.為什麼要對LED進行封裝?
     LED
封裝的作用是將外引線連接到LED晶片的電極上,不但可以保護LED晶片,而且起到提高發光效率的作用。所以LED封裝不僅僅只是完成輸出電信號,更重要的是保護管芯正常工作,輸出可見光的功能。可見LED封裝既有電參數,又有光參數的設計及技術要求,並不是一項簡單的工作。

2.LED封裝設備
    
由於LED封裝要求較高,因此,無論是直插LED或貼片LED,都必須使用具有高精度的固晶機,因為LED晶粒放入封裝的位置是否精確,將直接影響整件封裝器件發光效率。如果晶粒在反射杯內的位置有所偏差,光線不能被完全反射出來,直接影響LED的光亮度。但是,用一部具有先進的PR System(預先圖像辨識系統)固晶機,不論引線框架的品質差別,仍然可以將LED晶粒精確地焊接於預定位置上。

3.LED封裝形式
    
根據不同的應用場合、不同的外形尺寸、散熱方案和發光效果。LED封裝形式多種多樣。目前,LED按封裝形式分類主要有Lamp-LEDTOP-LEDSide-LEDSMD-LEDHigh-Power-LEDFlip Chip-LED
Lamp-LED(垂直LED
 
    Lamp-LED早期出現的是直插LED,它的封裝採用灌封的形式。灌封的過程是先在LED成型模腔內注入液態環氧樹脂,然後插入壓焊好的LED支架,放入烘箱中讓環氧樹脂固化後,將LED從模腔中脫離出即成型。由於製造工藝相對簡單、成本低,有著較高的市場佔有率。

SMD-LED(表面黏著LED
    
貼片LED是貼於線路板表面的,適合SMT加工,可回流焊,很好地解決了亮度、視角、平整度、可靠性、一致性等問題,採用了更輕的PCB板和反射層材料,改進後去掉了直插LED較重的碳鋼材料引腳,使顯示反射層需要填充的環氧樹脂更少,目的是縮小尺寸,降低重量。這樣,表面貼裝LED可輕易地將產品重量減輕一半,最終使應用更加完美。
Side-LED(側發光LED
目前,LED封裝的另一個重點便側面發光封裝。如果想使用LEDLCD(液晶顯示器)的背光光源,那麼LED的側面發光需與表面發光相同,才能使LCD背光發光均勻。雖然使用導線架的設計,也可以達到側面發光的目的,但是散熱效果不好。不過,Lumileds公司發明反射鏡的設計,將表面發光的LED,利用反射鏡原理來發成側光,成功的將高功率LED應用在大尺寸LCD背光模組上。

TOP-LED(頂部發光LED
    
頂部發光LED是比較常見的貼片式發光二極體。主要應用于多功能超薄手機和PDA中的背光和狀態指示燈。
High-Power-LED(高功率LED
為了獲得高功率、高亮度的LED光源,廠商們在LED晶片及封裝設計方面向大功率方向發展。目前,能承受數W功率的LED封裝已出現。比如Norlux系列大功率LED的封裝結構為六角形鋁板作底座(使其不導電)的多晶片組合,底座直徑3175mm,發光區位於其中心部位,直徑約(0.375×254)mm,可容納40LED管芯,鋁板同時作為熱沉。這種封裝採用常規管芯高密度組合封裝,發光效率高,熱阻低,在大電流下有較高的光輸出功率,也是一種有發展前景的LED固體光源。
 
    可見,功率型LED的熱特性直接影響到LED的工作溫度、發光效率、發光波長、使用壽命等,因此,對功率型LED晶片的封裝設計、製造技術顯得更加重要。

Flip Chip-LED(覆晶LED
     LED
覆晶封裝結構是在PCB基本上制有複數個穿孔,該基板的一側的每個穿孔處都設有兩個不同區域且互為開路的導電材質,並且該導電材質是平鋪於基板的表面上,有複數個未經封裝的LED晶片放置於具有導電材質的一側的每個穿孔處,單一LED晶片的正極與負極接點是利用錫球分別與基板表面上的導電材質連結,且於複數個LED晶片面向穿孔的一側的表面皆點著有透明材質的封膠,該封膠是呈一半球體的形狀位於各個穿孔處。屬於倒裝焊結構發光二極體。 

結語
    按固體發光物理學原理,LED的發光效能近似100%,因此,LED被譽為21世紀新光源,有望成為繼白熾燈、螢光燈、高強度氣體放電燈之後的第四代光源。展望未來,廠商必將把大功率、高亮度LED放在突出發展位置。LED產業鏈中的襯底、外延、晶片、封裝、應用需共同發展,多方互動培植,而封裝是產業鏈中承上啟下部分,需要大家極大地關注與重視。

2010年10月29日 星期五

LED結構分析(二十)

LED製程介紹

     LED製造流程可區分為上游磊晶製造、中游晶粒製造、下游封裝測試以及系統組裝,最後成為各式各樣不同的終端產品,各階段製程敘述如下:

上游磊晶製造

     利用砷(As)、鎵(Ga)、磷(P)等Ⅲ-Ⅴ族化合物為材料的單晶片作為結晶成長用的基
板,透過磊晶方法製作磊晶片。磊晶方法大致可分為液相磊晶法(Liquid Phase Epitaxy
;LPE)、氣相磊晶法(Vapor Phase Epitaxy;VPE)或金屬有機物化學氣相磊晶法
(Metal Organic Chemical-Vapor Deposition;MOCVD)等三種。

中游晶粒製造

     依據不同LED元件的需求,透過擴散、金屬膜蒸鍍、蝕刻、熱處理等製程進行LED磊晶片電極製作,接著將磊晶基板磨薄、拋光後,再切割、崩裂成單顆晶粒。

下游封裝測試

     將晶粒黏著於導線架上,經過固晶、固化、打線、樹脂封膠、烘烤、切割、測試、包
裝等製作流程,將晶粒封裝成各類型(如:Lamp, SMD, Display等)的LED元件。

晶粒(Die): 透過磊晶、單晶製成的發光二極體LED晶片。

導線架(Lead-frame): 也可稱為「支架」,導線架主要提供晶片焊接與引線端子間區
域的一組零件,分為陽極(Anode)與陰極 (Cathode)。

固晶(Die Attachment): 將LED晶片安置於已塗佈銀膠的電路板或導線架上相對應的位
置。

固化(Sinter): 透過高溫加熱銀膠,使環氧樹脂材料固化後將LED晶片固定於導線架上。

打線(Wire Bond): 利用金屬引線連接LED晶片上之電極與導線架上之端子。

樹脂封膠(LED Package): 利用樹脂材料將LED晶片與銲線進行封裝。

切割(Cutting): 透過切割機台將LED支架相互的連接予以切除。

測試(Testing): 針對LED產品功能與訊號進行測試。



2010年10月28日 星期四

LED結構分析(十九)

5.黃光:在晶片上塗佈光阻溶液,經曝光後在晶片上形成一定圖
案的工藝。





6.化學(或蝕刻):去除黃光制程中
未保護的部分,形成所需圖案。






7.熔合:使蒸鍍過程中蒸鍍的多層金屬分子間
更緊密結合,減少接觸電阻。

8.研磨:減小基板厚度,降低晶粒電阻,同時以利切割。有
研磨法與切削法兩種。

9.切割:將晶片切割為要求之晶粒。常用輪刀式,鑽石式與
激光式三種方法。

10.測試:挑選出各種波長之晶粒,剔除不合格之產品。另有
目檢流程,以保證銷售晶粒之品質。



資料來源:瑋群光電

2010年10月27日 星期三

LED結構分析(十八)




3.晶片清洗:除去晶片上磊晶完成後所殘留的物質,如不除去,
蒸鍍上的金屬易起層脫落。使用設備:自動清洗機

4.蒸鍍:在晶片表面鍍上一層或多層
金屬(Au、Ni、Al等),一般將晶片置於高溫真空下,將熔化的金屬蒸著在晶片上(如圖)。

作用:
1.便於在晶片上焊接電極


2.加大晶片的電流導電面積






資料來源:瑋群光電

2010年10月26日 星期二

LED結構分析(十七)

有機金屬化學氣相沉積(MOCVD)法介紹:利用氫氣將相應有機金屬帶
入MOCVD反應室與其它特氣反應,生成的固態物便沉積在基板上。
















資料來源:瑋群

2010年10月18日 星期一

LED結構分析(十二)

目前白光二極體的結構形式
GaN藍色發光二極體+黃色熒光粉
光子回收式(藍光與黃光混後發出白光)





2010年10月11日 星期一

LED結構分析(七)


目前常見可見光發光二極體及結構
a.GaP/GaAsP系發光二極體
b.AlGaAs系發光二極體
c.AlInGaP系發光二極體
d.GaN系發光二極體












此系之發光二極體有三種,GaP 680nm紅光發光二極體,GaP570nm
黃綠光發光二極體,與GaAsP系發光二極體

資料來源:瑋群

2010年10月7日 星期四

LED結構分析(五)

決定LED發光顏色的重要因素:能隙Eg(ev電子伏特)

能隙的定義:

半導體化合物中的電子吸收足夠的能量才能跳出形成電子或電洞,

所需吸收的最小能量叫做能隙(band gap)Eg,

能隙的大小與共價鍵強度有關,共價鍵強度越強,能隙越大。



LED發光波長λ

λ=1240/Eg (mm)


目前LED結構常加入活性層(發光層),控制發光波長,提高發光效率。




資料來源:瑋群(光電)

2010年10月6日 星期三

LED結構分析(四)


PN結的特性:由於內電場阻擋了多數載流子的運動,阻擋層中沒有載流
子,因此PN結是不導電的。但是,如果我們在PN結上接一個外加電壓來
改變了內電場,也就是改變阻擋層,PN結的導電性能就會發生變化。
當外加電場與內電場方向一致:不導電
外加電場與內電場方向相反:導通

2010年10月5日 星期二

結構分析(三)

    當P形半導體與N形半導體接觸後,根據擴散原理,空穴要從濃度高的P區向N區擴散,自由電子要濃度高的N區向P區擴散,並在交界處發生複合,形成載流子極少的正負空間電荷區(如下圖),也就是PN結。